應用於ICP刻蝕係統
分類: 案例展示  發布時間: 2015-08-17 
應用於ICP刻蝕係統

詳細介紹

ICP刻蝕原理及應用

原理:等離子體對材料的刻蝕分為物理刻蝕和化學劑刻蝕,物理刻蝕是通過加速離子對基片表麵的撞擊來將基片表麵的原子濺射出來。為離子能量的損耗為代價達到刻蝕的目的。化學反應刻蝕是反應等離子體在放電過程中產生離子和許多化學活性中性物質即自由基。這些中性物質是活躍的刻蝕劑,它與基片發生化學反應。

工作原理:

ICP係統中有2個獨立的RF電源,RF1與RF2.一個接到反應室外的電感線圈,一個接到反應室內的電極。給反應室外的線圈加功率時,反應室內產生交變的電磁場,當電場達到一定程度時,氣體產生放電現象,進入等離子狀態。交變的電磁場,使等離子體中的電子路徑改變增加等離子體的密度。反應室內的電極放電後提供一個偏置電壓給等離子體提供能量,使等離子體垂直作用於基片。並與基片發生成可揮發的氣態物質,以達到刻蝕的目的。

等離子刻蝕主要應用在半導體晶圓製作的微電路與圖案的刻蝕。

K-mate 係列射頻電源及自動匹配器為國內多家知名企業與高校如中科院,沈陽科儀等單位保持長期射頻電源及自動匹配器供應。在ICP,RIE等刻蝕設備上針對上電極線圈負載與下電極容性負載。配上對應的不同阻抗網絡的射頻自動匹配器。能夠迅速調整匹配起輝放電。且能長時間穩定運行。

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